概述：

       本实验装置使用砷化镓（GaAs）霍尔传感器测

量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不

同的磁感应强度下的电阻大小。可观测半导体的霍尔

效应和磁阻效应两种物理规律，及其作为磁测量不同

应用，具有研究性和相关性的实验特点，适合于基础

物理实验和综合性物理实验。

主要技术参数及性能：

       1、IM：励磁电流，直流0~900mA连续可调，3位半数显；
       2、Is：传感器工作电流，直流0~1mA连续可调，3位半数显；
       3、数字式磁场强度和磁阻电压测量：磁场强度0~999mT，准确率1%；磁阻电压0~2000mV，准确率为0.5%。